中国大陆动态随机存取记忆体（DRAM）巨头长鑫存储技术（CXMT）据传已成功量产DDR5记忆体晶片，但因在晶片制造设备进口方面受限，良率估计仅10%-20%。产业人士表示，陆制晶片与产业龙头的差距，一时恐难缩小。

BusinessKorea报导，长鑫储存日前传出成功量产DDR5晶片，缩小与三星电子等全球DRAM大厂的差距至三年以下。但半导体产业普遍认为，中国离全面的「半导体起飞」阶段，尚有一段距离。

理由在于，受到美国法规的限制，陆厂无法进口半导体制程不可或缺的先进极紫外光（EUV）曝光设备，此外，川普新政府也预期对中国产品加征高关税、严加管控设备出口，陆制DRAM的成长势必受挫。

外界也猜测，在拜登政府时期未被列入管制的长鑫储存，可能在川普上任后被纳入制裁名单。

荷兰半导体设备大厂艾司摩尔（ASML）近期对外展示将最先进高数值孔径极紫外光（High NA EUV）用于DRAM制程的可能性，宣称该方法可节省多达30%的成本。而由于长鑫存储等陆厂自2019年起便无法进口EUV设备，与其他地区业者的成本差距将持续扩大。

半导体产业观察人士表示，正因如此，长鑫存储的DDR5良率可能只会有10%-20%。ASML执行长富凯说，「中国在先进领域落后约10-15年」。而业界的共识是，受到产能和良率的影响，中国在缩减成本和价格竞争力方面大幅落后。

一位半导体产业高层人士说，「美中贸易冲突对我们而言是千载难逢的机会」，「我们必须将过时的半导体产品转型为先进产品、有效投资先进研发，拉大与中国的差距」。